900V 12A場效應管6390A型號參數：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) =...900V 12A場效應管6390A型號參數：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.75mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高級平面工藝，具有低電荷，低反向傳輸電容，...
900V高壓MOS管4590A型號參數：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6...900V高壓MOS管4590A型號參數：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷，低反向傳輸電容，開關速度快等優點。封裝形式：TO-...
MOS場效應管6180參數：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（...MOS場效應管6180參數：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（V）：800V；RDS (on) = 0.72mΩ(typ)@V GS =10V。具有低電荷，低反向傳輸電容，開關...
KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這款24A、500V低電流、...KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這款24A、500V低電流、高電壓的MOS管是能夠匹配：2SK2837、25N50兩款型號，能夠完美代換使用。
KIA20N50具有500V高耐壓，20A漏極直流電流，低反向傳輸電容開關速度快，內阻低...KIA20N50具有500V高耐壓，20A漏極直流電流，低反向傳輸電容開關速度快，內阻低，耐沖擊特性好等特點；在使用性能參數方面能夠匹配型號為IRFP460的國外場效應管，也...
KIA半導體這款18N50H是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計，廣泛應用...KIA半導體這款18N50H是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計，廣泛應用于開關電源、DC-AC電源轉換器，DC-DC電源轉換器，紫外線燈電子鎮流器等產品中。
