24n50場效應管參數,24n50代換,引腳圖 500V-KIA MOS管

24n50場效應管參數-產品介紹

KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這種先進的技術經過特別定制，可以最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有功功率因數校正。這款24A、500V低電流、高電壓的MOS管是能夠匹配：2SK2837、25N50兩款型號，能夠完美代換使用。

24n50場效應管參數-特點

RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V

低柵電荷

高耐用性

快速切換

雪崩測試100%

提高了dv/dt能力

24n50場效應管主要參數

產品型號：KIA24N50

工作方式：24A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：24A

脈沖漏極電流：96A

雪崩能量：1150mJ

耗散功率：290W

熱電阻：40℃/W

漏源擊穿電壓：500V

溫度系數：0.5V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：3500 PF

輸出電容：520 PF

上升時間：35 ns

封裝形式：TO-3P

24n50場效應管封裝

24n50場效應管參數

24n50場效應管參數規格書 KIA24N50H

查看及下載規格書，請點擊下圖。

KIA半導體專業生產MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發為先導，了解客戶需求，運用創新的集成電路設計方案和國際同步研發技術，結合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品，產品的穩定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術，市場溝通的嚴謹態度，在移動數碼，LCE,HID,LED,電動車，開關電源，逆變器，節能燈等領域深得客戶認可。

24n50場效應管參數