20n50場效應管參數,20n50參數代換,引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-09
KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正。
KIA20N50具有500V高耐壓，20A漏極直流電流，低反向傳輸電容開關速度快，內阻低，耐沖擊特性好等特點；在使用性能參數方面能夠匹配型號為IRFP460的國外場效應管，也能夠代換2SK2837型號的場效應管。
廣泛應用于DC-AC電源轉換器，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動，逆變器（1000W）/開關電源/電焊機產品中。
產品型號：KIA20N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作溫度：+150/℃
擊穿電壓溫度：0.5V/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的70nC）
快速切換能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
