IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎上，將硅片通過機械減...IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎上，將硅片通過機械減薄或特殊減薄工藝（如Taiko、Temporary Bonding 技術）進行減薄處理，然后對減薄硅...
亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，它代表源漏...亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量，又稱為S因子，S越小意味著開啟關斷速率ON/OFF越...
一般使用的按鍵原理圖如下圖所示，由按鍵、上拉電阻和消抖濾波電容組成。按鍵斷...一般使用的按鍵原理圖如下圖所示，由按鍵、上拉電阻和消抖濾波電容組成。按鍵斷開時KeyIin1處電壓被上拉到+5V，當按鍵閉合時把KeyIin1電壓拉到0V，與按鍵并聯的電...
KIA5N50H 5A500V MOS管是一種高壓、低內阻、低開關損耗的MOS管，適用于各種高功...KIA5N50H 5A500V MOS管是一種高壓、低內阻、低開關損耗的MOS管，適用于各種高功率應用場合，如無刷電機、安定器等。
為了防止電壓源逆變器的上下開關管同時導通，故在開關管的切換時存在一段上下橋...為了防止電壓源逆變器的上下開關管同時導通，故在開關管的切換時存在一段上下橋臂均關閉的時間，稱之為死區時間。當上下開關管都關斷時，電流并不會截斷，而是通過...
新型儲能產業鏈上游為原材料及核心部件，其核心部件一般包括電池組、儲能逆變器...新型儲能產業鏈上游為原材料及核心部件，其核心部件一般包括電池組、儲能逆變器(PCS)、能量管理系統（EMS）、電池管理系統(BMS)四大部分；中游為系統集成商和安裝...
