型號：TIP35C 類型：NPN三極管 集電極耗散功率（PC）：125 W 集電極電流（I...型號：TIP35C 類型：NPN三極管 集電極耗散功率（PC）：125 W 集電極電流（IC）：25 A
高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）...高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開關(guān)損耗，開關(guān)速度快等優(yōu)點，適用于...
KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@V...KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@Vgs=10V，開啟延遲典型值為16nS，關(guān)斷延遲時間典型值為44nS，上升時間18.3nS，下降時...
MOS管KNX2408A：漏源擊穿電壓80V，漏極電流最大值為190A；RDS (on) = 3.7mΩ(t...MOS管KNX2408A：漏源擊穿電壓80V，漏極電流最大值為190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先進的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的RDS（ON），低柵極電荷，高效...
MOS管KNX2910A漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大值為130A；低內(nèi)阻：5Ω，采用超高...MOS管KNX2910A漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大值為130A；低內(nèi)阻：5Ω，采用超高密度電池設(shè)計、超低導通電阻，低開關(guān)損耗：開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，高效穩(wěn)定。
MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(ty...MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)晶體管。...
