KIA65R190這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體Semi先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)...KIA65R190這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體Semi先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)專門(mén)定制，可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換...
漏源電壓：600V 柵源電壓：±30A 漏電流連續(xù)：12A 脈沖漏極電流：48A漏源電壓：600V 柵源電壓：±30A 漏電流連續(xù)：12A 脈沖漏極電流：48A
10n65場(chǎng)效應(yīng)管是針對(duì)儲(chǔ)能電源，有更耐沖擊，同等參數(shù)雪崩更高的MOSFET。10n65場(chǎng)效應(yīng)管是針對(duì)儲(chǔ)能電源，有更耐沖擊，同等參數(shù)雪崩更高的MOSFET。
在社會(huì)的飛速發(fā)展中，便攜式儲(chǔ)能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產(chǎn)品對(duì)...在社會(huì)的飛速發(fā)展中，便攜式儲(chǔ)能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產(chǎn)品對(duì)MOS管的使用。10n60針對(duì)儲(chǔ)能電源應(yīng)用，具有更耐沖擊、同等參數(shù)雪崩更高的特性，提高...
KIA10N120V參數(shù)： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - ...KIA10N120V參數(shù)： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
KNX4760A 8A 600V-應(yīng)用領(lǐng)域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源KNX4760A 8A 600V-應(yīng)用領(lǐng)域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源
