KIA3407A場效應(yīng)管采用了先進的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，R...KIA3407A場效應(yīng)管采用了先進的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V時）；封裝形式：TO-220、TO-263。
1n65場效應(yīng)管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場效應(yīng)管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進的dv/dt...
1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時的開態(tài)電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時的開態(tài)電阻僅為9.3?，確保穩(wěn)定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC，在控制電荷時更加高效、還具備高...
KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100...KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性；超低柵極電荷，減小開...
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù)：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，T...碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù)：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，TJ為25°C時達到典型值，具有低導(dǎo)通電阻和高阻斷電壓的特點；在低電容條件下能實現(xiàn)高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性，RDS（ON）僅為40mΩ（典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性，RDS（ON）僅為40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃條件下，在高電壓下能夠擁有較低的導(dǎo)通電阻，同時表現(xiàn)出優(yōu)異的...
