KIA3407A場效應(yīng)管采用了先進的溝槽工藝技術(shù),漏源擊穿電壓70V,漏極電流80A,R...KIA3407A場效應(yīng)管采用了先進的溝槽工藝技術(shù),漏源擊穿電壓70V,漏極電流80A,RDS(ON)最大10.8m?(在VGS=10V時);封裝形式:TO-220、TO-263。
1n65場效應(yīng)管漏極電流1A,漏源電壓高達650V,RDS(開)為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場效應(yīng)管漏極電流1A,漏源電壓高達650V,RDS(開)為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC,提供高堅固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進的dv/dt...
1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力,且在VGS=10伏時的開態(tài)電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力,且在VGS=10伏時的開態(tài)電阻僅為9.3?,確保穩(wěn)定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC,在控制電荷時更加高效、還具備高...
KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進溝槽技術(shù),漏極電流7A,漏源擊穿電壓100...KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進溝槽技術(shù),漏極電流7A,漏源擊穿電壓100V,RDS(ON)=98mΩ(典型值)@VGS=10V,具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性;超低柵極電荷,減小開...
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù):28A,1200V;RDS(ON)僅為80mΩ,在VGS為20V,T...碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù):28A,1200V;RDS(ON)僅為80mΩ,在VGS為20V,TJ為25°C時達到典型值,具有低導(dǎo)通電阻和高阻斷電壓的特點;在低電容條件下能實現(xiàn)高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性,RDS(ON)僅為40mΩ(典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性,RDS(ON)僅為40mΩ(典型值)在VGS=20V,TJ=25℃條件下,在高電壓下能夠擁有較低的導(dǎo)通電阻,同時表現(xiàn)出優(yōu)異的...