P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V...P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) ：-30A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-60V 功耗 (PDM) ：57W 柵極電...
KNX4665B場效應管具有高擊穿電壓、低導通電阻和低開關損耗等特點，漏源擊穿電壓...KNX4665B場效應管具有高擊穿電壓、低導通電阻和低開關損耗等特點，漏源擊穿電壓高達650V，漏極電流7A，能夠承受較大的電壓壓力、良好的導電性能，RDS（ON）的典型...
KIA7610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流25A，RDS（開）=32mΩ，采用了先進...KIA7610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流25A，RDS（開）=32mΩ，采用了先進的溝槽加工技術，實現極低的導通電阻，提供杰出的性能、結工作溫度175℃，具備較高...
KIA6410A場效應管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=1...KIA6410A場效應管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低導通電阻特性，同時還具備改進的dv/dt能力，確保快速切換的穩定性、以及100%的...
KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、具備提高dv/dt能力...
KNX2804C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進的溝槽MOS技術，具有...KNX2804C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進的溝槽MOS技術，具有極低的導通電阻RDS（接通），能夠實現高效的電路控制；2804場效應管RDS（ON）為3.0...
