KIA30N03B場效應管具備出色的性能參數，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，采用先...KIA30N03B場效應管具備出色的性能參數，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，采用先進的高細胞密度溝槽技術，具有超低的柵極電荷，RDS（開）參數為15m? @ VDS=30V，較...
KIA30N06B場效應管是一款先進高密度溝槽技術的電子元件，漏源擊穿電壓60V，漏極...KIA30N06B場效應管是一款先進高密度溝槽技術的電子元件，漏源擊穿電壓60V，漏極電流25A，具有出色的性能指標，?在VDS為60V時，其RDS(on)僅為25mΩ，表現出超低的...
KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V，漏極電流可達11A，適用于各種高壓應...KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V，漏極電流可達11A，適用于各種高壓應用場合，RDS（ON）僅為0.38Ω，在10V的VGS下表現出色、低柵極電荷，僅為15nC，有助于...
KNX4820B場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，采用了專有新型平面技術，是一...KNX4820B場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，采用了專有新型平面技術，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保證了穩定的工作狀態、低柵極電...
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) ：-100A 漏源擊穿電壓 (VD...RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) ：-100A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-40V 柵極電荷（Qg）：115 nC 功耗 (PDM) ：83W
P30v MOS,KPE4403A參數引腳圖 漏極電流 (ID) ：-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)...P30v MOS,KPE4403A參數引腳圖 漏極電流 (ID) ：-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-30V 柵極電荷（Qg）：6.5 nC 功耗 (PDM) ：1.5W RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=1...
