KIA12N65H場效應管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為...KIA12N65H場效應管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為10V時表現出色、低柵極電荷，典型值為52nC，使得它在高頻率下仍能表現穩定、快速切...
KND3504A場效應管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術，漏極電流70A，漏源擊穿電壓...KND3504A場效應管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術，漏極電流70A，漏源擊穿電壓40V，具有低導通電阻，典型值為7.0mΩ；出色的散熱封裝和低RDS（ON）的高密度電池設...
KNH3730A場效應管是一款性能優越的器件，采用專有新型平面技術，具有50A的漏極...KNH3730A場效應管是一款性能優越的器件，采用專有新型平面技術，具有50A的漏極電流和300V的漏源擊穿電壓，RDS（ON）在VGS=10V時僅為70mΩ（典型值），能夠實現低柵...
KIA7N65H是一款高性能場效應管，具有出色的性能和可靠性，漏極電流7A，漏源擊穿...KIA7N65H是一款高性能場效應管，具有出色的性能和可靠性，漏極電流7A，漏源擊穿電壓高達650V，導通電阻僅為1.2Ω，在10V的柵極電壓下能夠提供穩定的性能；能夠替代...
KCX3008A場效應管場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術...KCX3008A場效應管場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，具有極低的RDS（開啟）值，典型值為4.5 mΩ@Vgs=10V，表現出優秀的柵極電荷與RDS...
6n65場效應管漏極電流5.5A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（ON）=1.9? @ VGS=10V；...6n65場效應管漏極電流5.5A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（ON）=1.9? @ VGS=10V；具有低柵極電荷，典型值為16nC，KIA6N65H N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高...
