9435場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開）=50mΩ（典型值）@VG...9435場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降提升整體性能。9435mos管封裝形式：SOP...
KIA4953場(chǎng)效應(yīng)管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現(xiàn)出優(yōu)異的...KIA4953場(chǎng)效應(yīng)管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣特性；當(dāng)Vgs為-10V時(shí)，其RDS(on)為54mΩ，而當(dāng)Vgs為-4.5V時(shí)，其RDS(on)為84mΩ...
7306場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓60V，漏極電流22A，R...7306場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓60V，漏極電流22A，RDS（ON）= 5.5mΩ（典型值）@VGS =10V，表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通能力，超低柵極電荷，在工作...
KIA6706A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流18A，額定RDSON為7.5mΩ（在VGS=10...KIA6706A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流18A，額定RDSON為7.5mΩ（在VGS=10V時(shí)），表現(xiàn)穩(wěn)定可靠，具有超低的門電荷，在工作時(shí)能夠更加高效，還具有Cdv/dt效應(yīng)下...
KIA4706A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，性能出色，漏源擊穿電壓60V，...KIA4706A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，性能出色，漏源擊穿電壓60V，漏極電流8A，具有RDS（開）僅為10mΩ（在VGS=10V時(shí)的典型值），在應(yīng)用中表現(xiàn)出超低的...
9926mos管,9926場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態(tài)電阻(RDS...9926mos管,9926場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.030Ω 總功耗：2.0W
