irfp3206場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為200A；RDS（on）（典型值）=...irfp3206場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為200A；RDS（on）（典型值）=2.4mΩ@Vgs=10V。60v 200a場效應管irfp3206型號適合應用于：開關電源中的高效同步整...
ncep15t14場效應管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能夠使用...ncep15t14場效應管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能夠使用KIA半導體的KNX2915A型號替代，KNX2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流最大為130A；RDS...
KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開關損耗，開關速度快等優點，KIA2906A能夠完美匹配hy1906...
KIA50N03A場效應管是采用KIA半導體先進工藝制造，具有較低的導通電阻、優越的開...KIA50N03A場效應管是采用KIA半導體先進工藝制造，具有較低的導通電阻、優越的開關性能、極高的雪崩擊穿耐量，可最大限度地減少導通損耗，卓越高效。KIA50N03A可完...
MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式：SOT-23，?可替...MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式：SOT-23，?可替代SI2300以及NCP1117?，KIA2300具有較低的導通電阻、優越的開關性能、可最大限度地...
KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=1...KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式：TO-252，能夠匹配代換svt035r5nd和nce03h11k型號參數場效應管。
