KIA40N20A是一款40A低電流,200V高電壓N溝道增強型功率MOS場效應管,以其40A漏...KIA40N20A是一款40A低電流,200V高電壓N溝道增強型功率MOS場效應管,以其40A漏極直流電流、200V漏-源電壓的特性,一般推薦用于DC-DC電路的產品,還可以用于逆變電...
KCT1810A參數,240A 100V引腳圖資料 型號:KCT1810A 漏極-源極電壓:100V 持...KCT1810A參數,240A 100V引腳圖資料 型號:KCT1810A 漏極-源極電壓:100V 持續漏極電流:240A 脈沖漏極電流:960A
KNX7150A漏源擊穿電壓高達500V,漏極電流為20A;RDS(on),typ.(典型值)=0.2...KNX7150A漏源擊穿電壓高達500V,漏極電流為20A;RDS(on),typ.(典型值)=0.24Ω@Vgs=10V,封裝形式:TO-3P、TO-220、TO-220F,KNX7150A可以作為20n50場效應管代...
KIA28N50場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流28A,RDS(on)(典型值)=0.16mΩ...KIA28N50場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流28A,RDS(on)(典型值)=0.16mΩ@Vgs=10V,具有低柵極電荷、低Crss,最小化開關損耗,以及100%雪崩Aested、提高dv/...
KIA50N03CD是一款漏源擊穿電壓30V, 漏極電流最大值為50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ...KIA50N03CD是一款漏源擊穿電壓30V, 漏極電流最大值為50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V,性能優質的場效應管,非常適合應用在潛水泵控制板上,KIA50N03CD可最大限...
6140S N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計,如開關...6140S N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計,如開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器。knp6140漏源擊穿電壓400V,...