KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛...KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23場效應管MOSFET能...
3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進的溝槽技術，提供優良...3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS(on)，低柵極電荷工作電壓低至2.5V。該器件適用于作為負載開關或PWM應用程序。...
KIA2301漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設計、...KIA2301漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2301應用于小家電方案，高效率低損耗。
大功率場效應管KNK7880A漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on)...大功率場效應管KNK7880A漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。KNK7880A采用高級平面技術，降低導通損耗，改善開關性能，...
kia2806a最高承受電壓可達60V，漏極電流最大值為150A，柵源電壓：±25V，脈沖漏...kia2806a最高承受電壓可達60V，漏極電流最大值為150A，柵源電壓：±25V，脈沖漏極電流：580A，RDS（ON）=3.5mΩ（典型值）@VGS=10V；封裝形式：TO-220、TO-247、T...
TO-220是一種大功率晶體管、中小規模集成電路等常采用的一種直插式的封裝形式。...TO-220是一種大功率晶體管、中小規模集成電路等常采用的一種直插式的封裝形式。TO英文是 Transistor Outline的縮寫。通常，TO-220為單排直插，一般可以引出3個、5...
