低內阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V，漏極電流為50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =1...低內阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V，漏極電流為50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds開啟，可將傳導損耗降至最低、高雪崩電流等特點；KIA50n06可以代換SQD...
低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ V...低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先進的高密度溝槽技術制造，封裝形式：TO-251/252。KIA30N06B3場效應管可以...
KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；...KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；KIA100N03場效應管非常適合應用于小功率LED、鋰電池保護板等產品領域，KIA100N03場效...
KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進的高密度溝槽技...KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進的高密度溝槽技術，具有超低柵電荷、優良的CDV / dt效應遞減等；封裝形式：SOP-8。KIA7P03A場效應管...
2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設計...2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、...
3415場效應管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設計...3415場效應管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。3415場效應管非常適合使用于蘋果充電頭、...
