KIA8N60場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7.5A，使其在高壓環(huán)境下發(fā)揮穩(wěn)定而...KIA8N60場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7.5A，使其在高壓環(huán)境下發(fā)揮穩(wěn)定而強(qiáng)大的作用，其RDS（開）值僅為0.98?，在輸入電壓為10V時表現(xiàn)突出，具有良好的導(dǎo)通...
KIA7N60H場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7A，能夠在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色；R...KIA7N60H場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7A，能夠在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色；RDS（打開）=1.0? @ VGS=10V，具有較低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功耗和提高效率；能...
KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）和低柵極電荷。該器件適用于...KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）和低柵極電荷。該器件適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3409不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。 VDS(V)=...
KND4560A場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流6A，RDS（ON）為1.4Ω（在VGS=10V時的...KND4560A場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流6A，RDS（ON）為1.4Ω（在VGS=10V時的典型值）；具有TO-251、252封裝形式可供選擇，方便安裝使用。KND4560A能夠替代士蘭微...
KIA4N60H場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具備低...KIA4N60H場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具備低柵極電荷（典型值為13.5nC）最小化開關(guān)損耗，高堅固性，快速切換能力，指定雪崩能量...
KNH8150A場效應(yīng)管采用高級平面工藝，漏源電壓500V，漏極電流30A，RDS（ON）=15...KNH8150A場效應(yīng)管采用高級平面工藝，漏源電壓500V，漏極電流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具備低柵極電荷最小化開關(guān)損耗，能夠穩(wěn)定可靠地工作，加固...
