KIA75NF75場效應(yīng)管漏源擊穿電壓為80V，漏極電流為80A，RDS（ON）參數(shù)為7mΩ（典...KIA75NF75場效應(yīng)管漏源擊穿電壓為80V，漏極電流為80A，RDS（ON）參數(shù)為7mΩ（典型值）@VGS=10V，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗。這款場效應(yīng)管還具備無鉛和綠色設(shè)備的...
高壓場效應(yīng)管KCX9860A漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有堅固的高壓終端、指...高壓場效應(yīng)管KCX9860A漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有堅固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復(fù)二極管相當(dāng)?shù)脑礃O到漏極恢復(fù)時間、二極管用于橋式電路、...
pc電源,pd電源MOS管KNX4890A采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0...pc電源,pd電源MOS管KNX4890A采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0A，RDS（ON）=1.2Ω（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快速恢復(fù)體...
KIA78L08是單片固定電壓調(diào)節(jié)器集成電路。它適用于需要高達(dá)100mA供電電流的應(yīng)用...KIA78L08是單片固定電壓調(diào)節(jié)器集成電路。它適用于需要高達(dá)100mA供電電流的應(yīng)用。KIA78l08三端穩(wěn)壓管其特點是輸出電流高達(dá)100mA，無需外部零件，內(nèi)置熱過載停機保護...
PD電源熱銷MOS管KNX3403B是一種N溝道增強型功率Mosfet場效應(yīng)晶體管，使用KIA的...PD電源熱銷MOS管KNX3403B是一種N溝道增強型功率Mosfet場效應(yīng)晶體管，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)。KNX3403B經(jīng)過改進的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，漏源擊穿電壓30...
KNK74120A場效應(yīng)管采用高級平面工藝，漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，RDS（O...KNK74120A場效應(yīng)管采用高級平面工藝，漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗以及加固多晶硅柵極結(jié)...
