8n60場效應管參數,8n60場效應管引腳圖,8n60參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-28
KIA8N60是一種高壓MOSFET，設計具有更好的特性，如快速開關時間、低柵極電荷、低導通狀態電阻，并具有高的崎嶇雪崩特性。8N60通常用于電源、PWM電機控制、高效DC-DC轉換器和橋接電路中的高速開關應用。
KIA8N60場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7.5A，使其在高壓環境下發揮穩定而強大的作用，其RDS（開）值僅為0.98Ω，在輸入電壓為10V時表現突出，具有良好的導通性能；超低柵極電荷僅為29nC，展現出快速切換的能力，使其在開關電源、LED驅動領域有著廣泛的應用前景。KIA8N60能夠替代仙童、UTC等品牌8N60型號場效應管進行使用，封裝形式： TO-220、220F。
KIA8N60場效應管經過雪崩能量測試，展現出了出色的穩定性和可靠性，適用于各種惡劣環境條件下的工作。其改進的dv/dt能力為其在高速切換過程中提供了保障，使其能夠穩定而高效地工作，為設備的高效運行提供強有力的支持。
漏源電壓：600V
漏極電流：7.5A
漏源通態電阻(RDS(on))：0.98Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：30A
最大功耗：147/48W
輸入電容：1000PF
輸出電容：110PF
反向傳輸電容：12PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：80nS
上升時間：50ns
下降時間：70ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
