7n60參數及代換,7n60場效應管參數,7n60參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-27
KIA7N60H功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產的。這項先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
KIA7N60H場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7A，能夠在高壓應用中表現出色；RDS（打開）=1.0Ω @ VGS=10V，具有較低的導通電阻，能夠有效降低功耗和提高效率；7n60場效應管具有超低的柵極電荷，典型值為27nC，以及低反向轉移電容，保證在快速切換過程中能夠穩定工作；為了滿足各種應用場景下的需求，7N60還經過了雪崩能量測試和改進的dv/dt能力驗證，確保其在高壓、高頻率條件下能夠可靠工作，并且還具有高耐用性，能夠長時間穩定運行而不損壞，為系統的可靠性提供了保障。
KIA7N60H場效應管的卓越性能，在開關電源和LED驅動領域受到廣泛應用；其穩定可靠的特性，以及優秀的電氣參數，是各類電路設計的理想選擇，能夠替代仙童、UTC等品牌7N60型號場效應管進行使用；KIA7N60H封裝形式： TO-263、262、220、220F多種封裝選擇，方便安裝使用。
漏源電壓：600V
漏極電流：7.0A
漏源通態電阻(RDS(on))：1.0Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：215MJ
最大功耗：140/45W
輸入電容：900PF
輸出電容：100PF
反向傳輸電容：11.5PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：75nS
上升時間：45ns
下降時間：70ns
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