升壓PFC采用了單個低側MOSFET、一個電感器和一個二極管。為了實現高效的交流/直...升壓PFC采用了單個低側MOSFET、一個電感器和一個二極管。為了實現高效的交流/直流轉換，MOSFET柵極驅動器必須滿足特定的要求才能有效驅動MOSFET。這些驅動器的一些...
輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區，IC為放大電流也為PNP三...輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區，IC為放大電流也為PNP三極管Q2的基極電流，通過對IC電流的控制，可使Q2處于飽和狀態并以IE的飽和電流向電容...
KNP3306A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流80A；采用先進的溝槽技術制造，極低...KNP3306A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流80A；采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 7mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有高輸...
當輸出端懸空時，電路通過 R1 對 PNP 三極管 Q1 的基極進行弱上拉，此時基極-發...當輸出端懸空時，電路通過 R1 對 PNP 三極管 Q1 的基極進行弱上拉，此時基極-發射極無電壓差，三極管保持截止狀態。由于無電流流向三極管集電極，BT151 晶閘管的門...
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關MOS管并接，使開關管電壓應力減...R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關MOS管并接，使開關管電壓應力減少，EMI減少，不發生二次擊穿。在開關管Q1關斷時，變壓器的原邊線圈易產生尖峰電壓和...
KNB2906A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術制造，極...KNB2906A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 5.5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有...
