KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進的MOS技術制造，...KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高...
TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻...TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻，功率線性和開關應用。與TIP42C互補的PNP類型為TIP41C中功率三極管，其廣泛用于信號...
無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸的一種技術。無線電通常使用調頻或調幅技術...無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸的一種技術。無線電通常使用調頻或調幅技術將信息轉化為電信號,然后通過天線傳輸。 1.調制：發射端先將要傳輸的信號進行調制...
KCP3525A場效應管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進的SGT技術制造，專...KCP3525A場效應管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進的SGT技術制造，專有新溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟) 18.5mΩ，低柵極電荷減少開關損耗，提高效率；...
sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者...sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統或...
