通過控制不同開關器件的通斷組合，可以在輸出端產生三種不同的電平狀態：+Udc/...通過控制不同開關器件的通斷組合，可以在輸出端產生三種不同的電平狀態：+Udc/2、0、-Udc/2（其中Udc為直流母線總電壓）。
半橋電路由兩個功率開關管（通常標記為S1和S2）、兩個串聯的輸入電容（C1和C2）...半橋電路由兩個功率開關管（通常標記為S1和S2）、兩個串聯的輸入電容（C1和C2）以及一個變壓器或電感負載組成。兩個開關管的連接點作為輸出端，連接到負載。輸入電...
KNK7880A場效應管漏源擊穿電壓800V，漏極電流27A，采用先進的平面工藝制造，低...KNK7880A場效應管漏源擊穿電壓800V，漏極電流27A，采用先進的平面工藝制造，低導通電阻RDS(開啟) 280mΩ，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，高效率低...
當對角線上的開關管（如Q1和Q4）同時導通時，電流路徑為：電源正極→Q1→高頻變...當對角線上的開關管（如Q1和Q4）同時導通時，電流路徑為：電源正極→Q1→高頻變壓器初級繞組→Q4→電源負極。此時，變壓器初級繞組承受正向輸入電壓，能量從原邊傳...
兩個NPN 晶體管將啟用推挽功能。兩個晶體管 Q1 和 Q2 不能同時導通。當 Q1 開啟...兩個NPN 晶體管將啟用推挽功能。兩個晶體管 Q1 和 Q2 不能同時導通。當 Q1 開啟時，Q2 將保持關閉狀態，當 Q1 關閉時，Q2 將開啟。它會按順序發生，并將繼續循環。...
KND8606B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進的平面條紋DMOS技術制...KND8606B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進的平面條紋DMOS技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 15mΩ，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并...
