igbt驅動電路圖,igbt工作原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-26
IGBT有N溝道型和P溝道型兩種，主流的N溝道IGBT的電路圖符號及其等效電路如下：
當柵極G為高電平時，NMOS導通，所以PNP的CE也導通，電流從CE流過。
當柵極G為低電平時，NMOS截止，所以PNP的CE截止，沒有電流流過。
IGBT與MOSFET不同，內部沒有寄生的反向二極管，因此在實際使用中(感性負載)需要搭配適當的快恢復二極管。
IGBT綜合了（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT最主要的作用就是把高壓直流變為交流，以及變頻（所以用在電動車上比較多）。
IGBT的驅動電路是IGBT與控制電路之間的接口，實現對控制信號的隔離、放大和保護，驅動電路對IGBT的正常工作及其保護起著非常重要的作用。
分立式IGBT驅動電路
電路如圖所示，在電路簡圖中：Q1，Q3為NPN型三極管，Q2，Q4為PNP型三極管，D1～D4為保護二極管，二路PWM控制信號A，B為高電平或低電平，即A為高電平，B為低電平時，Q1、Q4導通，Q2、Q3關斷，此時，Q1、Q4和T1原邊繞組就形成通路，脈沖電壓加在T1的原邊，與原邊同相位的次邊得到開通驅動信號，與原邊相反的次邊得到關斷驅動信號。這些部分的作用是將A、B信號推挽放大，并通過隔離變壓器T1將驅動信號發生電路與高壓電路隔離。
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