KIA 半導(dǎo)體 KNX6180B（6180B）MOS 管產(chǎn)品介紹

在電源管理、工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中，高性能 MOS 管是保障系統(tǒng)穩(wěn)定高效運(yùn)行的核心器件。KIA 半導(dǎo)體（KMOS Semiconductor） 推出的KNX6180B（簡(jiǎn)稱 6180B） 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管，專為高耐壓、高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)，是國(guó)產(chǎn) MOS 管廠家中極具競(jìng)爭(zhēng)力的優(yōu)質(zhì)型號(hào)。

一、產(chǎn)品概述

KNX6180B 采用 KIA 專利 F-Cell?高壓平面 VDMOS 工藝制造，優(yōu)化的制程與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)讓該型號(hào)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的開關(guān)性能、高能量脈沖耐受能力，可在雪崩和換流模式下穩(wěn)定工作，廣泛適用于 AC-DC 電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、H 橋 PWM 電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

基礎(chǔ)核心參數(shù)

KIA KNX6180B封裝：TO-220F類型：N 溝道高壓 MOS 管規(guī)格：800V / 10A / Rds(on)≈1.05Ω用途：開關(guān)電源、適配器、充電樁、工業(yè)電源、AC-DC 反激電源二、核心規(guī)格與關(guān)鍵參數(shù)

對(duì)標(biāo)替代

一、國(guó)內(nèi)國(guó)產(chǎn)競(jìng)品（同參數(shù) 800V 10A）

士蘭微：SVF10N80F
華潤(rùn)華晶：HJ10N80F
揚(yáng)杰科技：YJG10N80A
捷捷微：JJW10N80
富滿電子：FMV10N80
深愛半導(dǎo)體：SIT10N80
長(zhǎng)電科技：CEU10N80
東微半導(dǎo)體：DE10N80
二、臺(tái)系品牌競(jìng)品
富鼎：AP10N80GI
茂迪：MD10N80
尼克森：NCE10N80
泰德：TD10N80
光磊：GL10N80

1. 基礎(chǔ)訂購(gòu)信息

型號(hào)：KNF6180B（KNX6180B，6180B）

封裝：TO-220F

品牌：KIA（KMOS Semiconductor）

2. 絕對(duì)最大額定值（Tc=25℃，除非另有說明）

3. 熱特性

參數(shù)	符號(hào)	額定值	單位
結(jié)到殼熱阻	RθJC	2.02	℃/W
結(jié)到環(huán)境熱阻	RθJA	62.5	℃/W

4. 電氣特性（Tc=25℃，除非另有說明）

參數(shù)	符號(hào)	條件	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V, ID=250uA	-	-	800V
漏源漏電流	IDSS	VDS=800V, VGS=0V	-	1	uA
柵源漏電流	IGSS	VGS=±30V, VDS=0V	-	±100	nA
柵極閾值電壓	VGS(TH)	VDS=VGS, ID=250uA	2.0~4.0	-	V
導(dǎo)通電阻	RDS(ON)	VGS=10V, ID=5.0A	0.87	1.05	mΩ
柵極電阻	RG	F=1MHz	16	-	Ω
輸入電容	Ciss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	1625	-	pF
輸出電容	Coss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	152	-	pF
反向傳輸電容	Crss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	6.4	-	pF
開通延遲時(shí)間	td(on)	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	28	-	nS
上升時(shí)間	tr	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	42	-	nS
關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	90	-	nS
下降時(shí)間	tf	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	75	-	nS
總柵極電荷	Qg	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	32	-	nC
柵源電荷	Qgs	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	8.5	-	nC
柵漏（米勒）電荷	Qgd	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	12	-	nC
反向二極管正向電壓	VSD	IS=10A, VGS=0V	-	1.4	V
反向恢復(fù)時(shí)間	trr	IS=10A, VGS=0V, dIF/dt=100A/us	611	-	ns
反向恢復(fù)電荷	Qrr	IS=10A, VGS=0V, dIF/dt=100A/us	5.6	-	nC

三、產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)

低導(dǎo)通損耗：典型 RDS (ON) 僅 0.87mΩ（VGS=10V, ID=5.0A），大幅降低導(dǎo)通階段的功率損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率。

優(yōu)異開關(guān)性能：低柵極電荷（Qg 典型值 32nC）、快速開關(guān)時(shí)間，適配高頻開關(guān)電源場(chǎng)景，減少開關(guān)損耗。

高耐壓與高可靠性：800V 高耐壓設(shè)計(jì)，搭配優(yōu)異的雪崩能量耐受能力與 dv/dt 魯棒性，適配工業(yè)級(jí)高可靠性應(yīng)用。

封裝適配性強(qiáng)：TO-220F 封裝散熱性能優(yōu)異，適合大功率場(chǎng)景使用，且引腳定義清晰（1 腳柵極 G、2 腳漏極 D、3 腳源極 S），便于電路設(shè)計(jì)與焊接。

四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

AC-DC 開關(guān)電源、反激電源、LLC 諧振電源

DC-DC 轉(zhuǎn)換器、隔離電源模塊

H 橋 PWM 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電機(jī)控制器

充電器、適配器、光伏輔助電源

各類對(duì)耐壓、效率、可靠性要求較高的功率變換場(chǎng)景

五、關(guān)于 KIA 半導(dǎo)體

KIA 半導(dǎo)體（KMOS Semiconductor）是國(guó)內(nèi)專業(yè)的 MOS 管廠家，專注功率半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造，擁有完善的質(zhì)量管控體系與豐富的產(chǎn)品型號(hào)矩陣。KNX6180B 作為其高壓 MOS 管代表型號(hào)，經(jīng)過嚴(yán)苛的測(cè)試驗(yàn)證，性能穩(wěn)定、一致性高，可提供樣品申請(qǐng)、批量供貨與技術(shù)支持服務(wù)，是工業(yè)、消費(fèi)電子領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì) MOS 管供應(yīng)商。

如需了解 KNX6180B 的詳細(xì)測(cè)試曲線、應(yīng)用方案或批量采購(gòu)報(bào)價(jià)，可直接聯(lián)系 KIA 半導(dǎo)體原廠獲取技術(shù)支持。

聯(lián)系方式：鄒先生

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）

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