032N10mos,120a100v場效應(yīng)管,032N10參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-15
KCT032N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少損耗，開關(guān)速度快，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，100%DVDS測試、100%雪崩測試，高可靠性和穩(wěn)定性，性能優(yōu)越，在電機(jī)控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應(yīng)用；封裝形式：TOLL，適用于高功率密度場景。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
單脈沖雪崩能量：800MJ
功率耗散：215W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：130nC
輸入電容：7470PF
輸出電容：930PF
反向傳輸電容：50PF
開通延遲時間：50nS
關(guān)斷延遲時間：97nS
上升時間：74ns
下降時間：30ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
