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適配器充電器mos,500v mos,to220,??KNP6450B場效應管-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-09-03 

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500v mos,KNP6450B參數引腳圖

KNP6450B場效應漏源電壓500V,漏極電流13A,低導通電阻RDS(on) 0.35Ω,最大限度地減少導通損耗,高效率低損耗,性能優越;具備快速切換特性,實現快速切換電源;低柵極電荷、低反向傳輸電容、100%單脈沖雪崩能量測試,穩定可靠;適用于音響功放、適配器和充電器電源開關電路中;封裝形式:TO-220,散熱出色。

500v mos,KNP6450B

500v mos,KNP6450B參數

漏源電壓:500V

漏極電流:13A

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:52A

雪崩能量單脈沖:900MJ

功率耗散:150W

閾值電壓:2-4V

總柵極電荷:46nC

輸入電容:2155PF

輸出電容:215PF

反向傳輸電容:25PF

開通延遲時間:16nS

關斷延遲時間:46nS

上升時間:26ns

下降時間:36ns

500v mos,KNP6450B規格書

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