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控制器開關(guān)驅(qū)動電路,電動車控制器mos管-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-09-03 

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控制器開關(guān)驅(qū)動電路,電動車控制器mos管-KIA MOS管


電動車控制器MOSFET驅(qū)動電路

1、由分立器件組成的驅(qū)動電路,驅(qū)動電路工作原理:

當HS為高電平時,Q7、Q4導(dǎo)通,Q6關(guān)閉,電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc,所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動,電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導(dǎo)通。

當HS為低電平時,Q7、Q4關(guān)閉,Q6導(dǎo)通,為Q5的柵極提供放電回路,從而使Q5很快關(guān)閉。當Q5關(guān)閉后,由于下管的開通或負載的作用,使得Phase電壓下降接近0V,從而使C4經(jīng)過+15V→D2→C4→GND回路充電,為下一次導(dǎo)通做好準備。

當LS為低電平時,Q8、Q11導(dǎo)通,Q10關(guān)閉,驅(qū)動電路通過R11為下管Q9的柵極充電,使Q9導(dǎo)通。

當LS為高電平時,Q8、Q11關(guān)閉,Q10導(dǎo)通,為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷。

當HS和LS同時為高電平時,上管開通下管關(guān)閉。當HS和LS同時為低電平時,上管關(guān)閉下管開通。在實際應(yīng)用中,為了避免上下管同時開通,HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來保證。

控制器開關(guān)驅(qū)動電路,mos管

2、半橋驅(qū)動芯片組成的驅(qū)動電路如圖所示,工作原理:

當HS和LS同時為高電平時,HO有驅(qū)動電壓輸出,使Q1開通。當HS和LS同時為低電平時,LO有驅(qū)動電壓輸出,使Q2開通。

電容C2與分立器件驅(qū)動電路里的C4作用相同,同樣為自舉電容。

電容C1為去藕電容,為抑制功率MOSFET開關(guān)時對驅(qū)動電路浮動電源部分的干擾,一般應(yīng)加上此電容。

控制器開關(guān)驅(qū)動電路,mos管

兩種驅(qū)動線路的區(qū)別

兩種驅(qū)動電路在開通時能提供基本相同的驅(qū)動電流驅(qū)動MOSFET開通,但在MOSFET關(guān)斷時,分立器件驅(qū)動電路因為有三極管放電,所以能提供更大的放電電流關(guān)閉MOSFET,而半橋驅(qū)動電路由于要經(jīng)過柵極電阻放電,所以放電電流相對較小,導(dǎo)致MOSFET關(guān)閉時間過長,開關(guān)損耗相應(yīng)增加。解決的辦法可以是在驅(qū)動電阻上反并聯(lián)一只二極管并增加一個放電的PNP三極管。

分立器件驅(qū)動電路用的器件較多,可靠性相對沒有半橋芯片的驅(qū)動電路高。但前提條件是半橋驅(qū)動芯片的驅(qū)動電路要設(shè)計合理。

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