600v超結mos管,600v24a,KLF60R135BD場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-31
KLF60R135BD場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流24A，采用多層外延工藝的超結MOS，有效降低導通電阻Rds(on)和Qg，更利于提高效率；極低導通電阻RDS（ON）110mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷（典型Qg=46nC)，減少開關損耗；具有高耐用性、超快開關速度以及100%雪崩測試、改進的dv/dt性能，高效穩定；封裝形式：TO-220F，散熱出色、適用于高耐壓場景。
漏源電壓：600V
漏極電流：24A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：72A
雪崩能量單脈沖：455MJ
總功耗：44W
總柵極電荷：48nC
閾值電壓：2.5-4.5V
輸入電容：2060PF
輸出電容：100PF
反向傳輸電容：1.2PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：54nS
上升時間：35ns
下降時間：12ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
