KCT1808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流240A，采用采用先進(jìn)SGT技術(shù)制造，極...KCT1808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流240A，采用采用先進(jìn)SGT技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.25mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有優(yōu)異柵極電...
升壓PFC采用了單個(gè)低側(cè)MOSFET、一個(gè)電感器和一個(gè)二極管。為了實(shí)現(xiàn)高效的交流/直...升壓PFC采用了單個(gè)低側(cè)MOSFET、一個(gè)電感器和一個(gè)二極管。為了實(shí)現(xiàn)高效的交流/直流轉(zhuǎn)換，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器必須滿足特定的要求才能有效驅(qū)動(dòng)MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器的一些...
輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區(qū)，IC為放大電流也為PNP三...輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區(qū)，IC為放大電流也為PNP三極管Q2的基極電流，通過對(duì)IC電流的控制，可使Q2處于飽和狀態(tài)并以IE的飽和電流向電容...
KNP3306A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低...KNP3306A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 7mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有高輸...
當(dāng)輸出端懸空時(shí)，電路通過 R1 對(duì) PNP 三極管 Q1 的基極進(jìn)行弱上拉，此時(shí)基極-發(fā)...當(dāng)輸出端懸空時(shí)，電路通過 R1 對(duì) PNP 三極管 Q1 的基極進(jìn)行弱上拉，此時(shí)基極-發(fā)射極無電壓差，三極管保持截止?fàn)顟B(tài)。由于無電流流向三極管集電極，BT151 晶閘管的門...
