已知UP由RV1和R4串聯從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調整到UP=0.5V，由于運放都具...已知UP由RV1和R4串聯從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調整到UP=0.5V，由于運放都具有虛短特性，當流過NMOS管Q1的電流大于1A時，R2兩端電壓大于0.5V，此時虛短特性發揮...
KNF6450A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開關應用...KNF6450A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開關應用設計，?低導通電阻RDS(開啟) 0.40Ω，低柵極電荷，最小化開關損耗，穩定可靠；快速...
當開關S1閉合時，電流經過S1、電感L1，向負載供電，流向電源的負極，供電的同時...當開關S1閉合時，電流經過S1、電感L1，向負載供電，流向電源的負極，供電的同時，也在給電感充電，由于D1二極管的單向導電性，此時二極管D1不會工作。
使用兩個MOS管（一個PMOS和一個NMOS）構建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的...使用兩個MOS管（一個PMOS和一個NMOS）構建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的漏極，NMOS的源極接地。當電源正向供電時，PMOS導通，NMOS截止；反向時，PMOS截止，...
KNM48150A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進的溝槽技術制造，低...KNM48150A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進的溝槽技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 2.8Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有低...
