3415場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)...3415場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛產(chǎn)品、堅(jiān)固可靠；封裝形式：SOT-23。3415場效應(yīng)管非常適合使用于蘋果充電頭、...
KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛...KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛產(chǎn)品、堅(jiān)固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23場效應(yīng)管MOSFET能...
3401場效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良...3401場效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(on)，低柵極電荷工作電壓低至2.5V。該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用程序。...
KIA2301漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、...KIA2301漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛產(chǎn)品、堅(jiān)固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2301應(yīng)用于小家電方案，高效率低損耗。
大功率場效應(yīng)管KNK7880A漏源擊穿電壓高達(dá)800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on)...大功率場效應(yīng)管KNK7880A漏源擊穿電壓高達(dá)800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。KNK7880A采用高級平面技術(shù)，降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，...
kia2806a最高承受電壓可達(dá)60V，漏極電流最大值為150A，柵源電壓：±25V，脈沖漏...kia2806a最高承受電壓可達(dá)60V，漏極電流最大值為150A，柵源電壓：±25V，脈沖漏極電流：580A，RDS（ON）=3.5mΩ（典型值）@VGS=10V；封裝形式：TO-220、TO-247、T...
