AO3415,3415場效應管參數,3415場效應管替代-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-16
3415場效應管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。3415場效應管非常適合使用于蘋果充電頭、玩具、藍牙、感應燈等產品領域，3415場效應管能夠替代VISHAY(威世)、時科、CJ、AO品牌型號進行使用，國產原廠高性價比。
KIA3415采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（導通）、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該器件適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3415不含鉛（符合ROHS和Sony 259規范）。KIA3415是綠色產品訂購首選。
VDS(V)=-16V
ID=-4.0A
RDS(on)<45mΩ(VGS=-4.5V,ID=-4.0A)
RDS(on)<54mΩ(VGS=-2.5V,ID=-2.5A)
RDS(on)<75mΩ(V GS=-1.8V,ID=-2.0A)
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MOS管國產品牌KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。
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