KIA3510A漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（打開）=14mΩ（max）@VGS=10V，...KIA3510A漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（打開）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低柵極-漏極電荷可降低開關損耗、100%雪崩測試、可靠且堅固、提供無鉛和綠色設備...
KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET，先進的高單元密度溝槽技術，漏源擊穿電壓...KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET，先進的高單元密度溝槽技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應...
KPD8610A是一款P溝道MOSFET，采用先進的高密度溝槽技術，漏源擊穿電壓-100V，漏...KPD8610A是一款P溝道MOSFET，采用先進的高密度溝槽技術，漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V，具有超低柵電荷、優異的cdv/dt效應降低等...
NCE01P30K代換場效應管KIA35P10A是一款電機驅動專用MOS管，采用先進的溝槽MOSF...NCE01P30K代換場效應管KIA35P10A是一款電機驅動專用MOS管，采用先進的溝槽MOSFET技術，提供出色的RDS（ON）和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35...
nce01p18k參數代換KIA23P10A場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流為-23A，RDS（...nce01p18k參數代換KIA23P10A場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流為-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先進的溝槽MOSFET技術，提供出色的R...
NCE80H16代換KIA2808A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流為150A，RDS（ON）=4....NCE80H16代換KIA2808A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流為150A，RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA2808A場效應管具有100%雪崩測試，無鉛和綠色設備可用（...
