KNX6140A場效應管采用專有平面新技術，漏源擊穿電壓400V，漏極電流10A，RDS(ON...KNX6140A場效應管采用專有平面新技術，漏源擊穿電壓400V，漏極電流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代換irf740型號使用，具有較低的導通電阻、優...
KIA6720N場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；...KIA6720N場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代換IRF640型號使用，封裝形式：TO-220，低熱阻和低成本，便于安裝和使...
KIA4820N場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；K...KIA4820N場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；KIA4820N可以代換irf630型號使用，封裝形式：TO-220、TO-252便于安裝和使用，高效穩定...
KNX7115A場效應管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX...KNX7115A場效應管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能夠代換aod4454型號，在LED驅動等領域熱銷，封裝形式：TO-252、TO-251。
KIA4810A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KI...KIA4810A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KIA4810A場效應管100V 9A能夠代換AON6450型號，這種通用技術非常適合無線充、無人機方...
KIA4610A是采用先進的高單元密度溝槽式N溝MOSFET，漏源擊穿電壓100V，漏極電流...KIA4610A是采用先進的高單元密度溝槽式N溝MOSFET，漏源擊穿電壓100V，漏極電流7.5A，RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V，以低柵極電荷提供出色的RDS(ON)，降低開關損耗、...
