低電壓規(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢，而且電壓規(guī)格越低，這個優(yōu)勢越明...低電壓規(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢，而且電壓規(guī)格越低，這個優(yōu)勢越明顯。電壓規(guī)格低于100V以后，VMOS的低功耗優(yōu)勢簡直是決議性的。其次是IGBT的開展，可...
模塊中的“管芯”普通稱為“單元”，例如兩單元模塊就包含了兩個“管芯”，這些...模塊中的“管芯”普通稱為“單元”，例如兩單元模塊就包含了兩個“管芯”，這些管芯單個封裝起來與單管并尤區(qū)別。模塊中除了管芯一般還會包含續(xù)流二極管和一些維護(hù)...
如今有很多賣家上架了產(chǎn)品后卻不曉得怎樣樣停止破零了，當(dāng)然有人說刷單這種方式...如今有很多賣家上架了產(chǎn)品后卻不曉得怎樣樣停止破零了，當(dāng)然有人說刷單這種方式是最便利的，這個也是有個時期的，就比方如今新品上架后用了刷單的方式，但過幾天被...
封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)...封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)格的產(chǎn)品，個頭小的，功率耗散才能更高，這似乎與我們的生活常識有些相悖，但是事實(shí)...
我們已經(jīng)知道JFET具有雙向?qū)щ娞匦裕绰O與源極可以互換，這是有條件的，這個...我們已經(jīng)知道JFET具有雙向?qū)щ娞匦裕绰O與源極可以互換，這是有條件的，這個條件就是低電壓、小電流，目前常用的小功率JFET的實(shí)際應(yīng)用也恰恰符合這個條件。MOS...
電壓規(guī)格(VDSS)：俗稱耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電...電壓規(guī)格(VDSS)：俗稱耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電壓指的是圖2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。詳細(xì)而言，圖中為10.5V，因而Q1、Q2的...
