低電壓規(guī)格趨向

如今曾經(jīng)很少有制造商推出新型號的高壓VMOS（1000V以上），市場上的新品的電壓規(guī)格根本上集中在500一600V程度。主要的緣由是，低電壓規(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢，而且電壓規(guī)格越低，這個優(yōu)勢越明顯。電壓規(guī)格低于100V以后，VMOS的低功耗優(yōu)勢簡直是決議性的。其次是IGBT的開展，可以順應(yīng)150kHz硬開關(guān)的產(chǎn)品曾經(jīng)上市，而且IGBT在高電壓規(guī)格和大功率規(guī)格方面有著明顯的優(yōu)勢。

不過，在電壓規(guī)格方而，（KIA）VMOS也不是完整沒有建樹，豐要開展是新型半導(dǎo)體資料的應(yīng)用，典型的例了是SiC，相似的開展也表現(xiàn)在IGBT方面。目前實用化的應(yīng)用是用基于肖特基勢壘的肖特基二極管替代傳統(tǒng)的體二極管，除了有利于降低VMOS的續(xù)流功耗，重要的是，可以進步其抵御“雪崩能量”的才能。關(guān)于雪崩能量的問題，相關(guān)的闡明在本書的第3章。
同樣從SiC資料受益的還有功率VFET，并且不局限于體二極管的產(chǎn)品也曾經(jīng)面世，電壓規(guī)格可達1700V，只是目前的產(chǎn)量和跟進的制造商不多，市場前景還有待察看。

SiC資料的應(yīng)用，除了在電壓規(guī)格方面可以有所打破；在低壓產(chǎn)品中也是大有可為，那就是明顯進步器件的適用開關(guān)頻率(圖1. 48)。當(dāng)然，新型半導(dǎo)體的應(yīng)用，并不儀儀限于SiC，曾經(jīng)開端應(yīng)用的新型半導(dǎo)體新資料還有GaN、GaAs等。

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