槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構造與雙擴散有機分離起來，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴散...
常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管...常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管、雙柵場效應管、功率場效應管等。
對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的，稍有不慎，就會導...對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的，稍有不慎，就會導致VMOS擊穿損壞。這時候的擊穿一般是柵極與源極擊穿，而不管源極、漏極間的電壓是高...
MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補型金屬氧化物半...MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補型金屬氧化物半導體)是目前比擬成熟的半導休集成下藝之一，能夠了解為集成電路中的橫向構造MOSFET...
HEXMOS與管芯構造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠將口徑做得很大，這時分...HEXMOS與管芯構造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠將口徑做得很大，這時分的水龍頭一般稱為“閥門”，當然也能夠用多個小口徑的水龍頭來替代，只是工程上很少...
目前大致有兩種辦法，一種是用兩個相同的半導體構建柵區，這兩個柵區就像水龍頭...目前大致有兩種辦法，一種是用兩個相同的半導體構建柵區，這兩個柵區就像水龍頭的閥芯與閥座，所不同的是，閥座是固定的，而兩個柵區都是“挪動”的，即兩個柵區同...
