電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400...電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,RDS(開啟)典型值=0.53Ω@VGS=10V,較低的導通電阻,可最大限度地...
調光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開)=14.5mΩ(典型...調光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開)=14.5mΩ(典型值)@VGS=10V;具有超低柵極電荷,出色的Cdv/dt效應下降,最大限度地減少導電損耗,...
KNX2912A場效應管采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓120V,漏極電流130A,提供優...KNX2912A場效應管采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓120V,漏極電流130A,提供優異的RDS(ON),在VGS=10V時的RDS(ON)僅為6.0mΩ(典型值),低柵極電荷,在儲能...
KNX3403C場效應管是一款性能優越的器件,漏源擊穿電壓30V,漏極電流80A,具有D...KNX3403C場效應管是一款性能優越的器件,漏源擊穿電壓30V,漏極電流80A,具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封裝的RDS(ON)分別為4.3mΩ和4.5mΩ(典型值)@VGS=10V,...
車載逆變器專用場效應管KNX2404N采用專有的新型溝槽技術,具有出色的參數特性,...車載逆變器專用場效應管KNX2404N采用專有的新型溝槽技術,具有出色的參數特性,漏源擊穿電壓40V,漏極電流190A,RDS(ON),典型=4mΩ(典型值)@VGS=10V,低柵極...
KND3203B場效應管具有100A、30V的額定參數,采用了CRM(CQ)先進的溝槽MOS技術...KND3203B場效應管具有100A、30V的額定參數,采用了CRM(CQ)先進的溝槽MOS技術,具有極低的導通電阻RDS(接通)和優秀的QgxRDS(on)產品性能;RDS(開)為3.1m?...