KNX3006A是一款高堅固性的場效應管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現(xiàn)出優(yōu)...KNX3006A是一款高堅固性的場效應管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能；RDS（ON）=5.8mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷（107nC），經(jīng)過改進...
KNX3106N場效應管具有漏源擊穿電壓高達60V和漏極電流可達110A的強大特性，RDS（...KNX3106N場效應管具有漏源擊穿電壓高達60V和漏極電流可達110A的強大特性，RDS（ON）在VGS為10V時表現(xiàn)出色，僅為7mΩ（典型值），表現(xiàn)出卓越的導通能力；采用了專有...
KCX2213A場效應管是一款具有高堅固性的SGT MOSFET技術產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，...KCX2213A場效應管是一款具有高堅固性的SGT MOSFET技術產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，漏極電流可達200A，表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能；RDS（ON）僅為2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具...
KCX2920K場效應管是一款具有SGT MOSFET技術的優(yōu)質器件，采用新型溝槽技術，漏源...KCX2920K場效應管是一款具有SGT MOSFET技術的優(yōu)質器件，采用新型溝槽技術，漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，表現(xiàn)出色；RDS（ON）為9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在...
KNG3303C場效應管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極...KNG3303C場效應管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極低的導通電阻，RDS(ON)僅為2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM應用和負載開關中表現(xiàn)出色，...
KIA7P03A功率場效應管采用先進的高密度溝槽技術，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力...KIA7P03A功率場效應管采用先進的高密度溝槽技術，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力為-7.5A，電壓為-30V，典型的導通電阻RDS（ON）為18mΩ，在柵源電壓為10V時；7P03場...
