9435場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開）=50mΩ（典型值）@VG...9435場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應下降提升整體性能。9435mos管封裝形式：SOP...
KIA4953場效應管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現出優異的...KIA4953場效應管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現出優異的電氣特性；當Vgs為-10V時，其RDS(on)為54mΩ，而當Vgs為-4.5V時，其RDS(on)為84mΩ...
7306場效應管采用先進的高電池密度溝槽技術，漏源擊穿電壓60V，漏極電流22A，R...7306場效應管采用先進的高電池密度溝槽技術，漏源擊穿電壓60V，漏極電流22A，RDS（ON）= 5.5mΩ（典型值）@VGS =10V，表現出卓越的導通能力，超低柵極電荷，在工作...
KIA6706A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流18A，額定RDSON為7.5mΩ（在VGS=10...KIA6706A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流18A，額定RDSON為7.5mΩ（在VGS=10V時），表現穩定可靠，具有超低的門電荷，在工作時能夠更加高效，還具有Cdv/dt效應下...
KIA4706A場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓60V，...KIA4706A場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓60V，漏極電流8A，具有RDS（開）僅為10mΩ（在VGS=10V時的典型值），在應用中表現出超低的...
9926mos管,9926場效應管參數 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態電阻(RDS...9926mos管,9926場效應管參數 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態電阻(RDS(on))：0.030Ω 總功耗：2.0W
