KNX3006A是一款高堅固性的場效應(yīng)管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現(xiàn)出優(yōu)...KNX3006A是一款高堅固性的場效應(yīng)管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能；RDS（ON）=5.8mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷（107nC），經(jīng)過改進(jìn)...
KNX3106N場效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)60V和漏極電流可達(dá)110A的強大特性，RDS（...KNX3106N場效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)60V和漏極電流可達(dá)110A的強大特性，RDS（ON）在VGS為10V時表現(xiàn)出色，僅為7mΩ（典型值），表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通能力；采用了專有...
KCX2213A場效應(yīng)管是一款具有高堅固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，...KCX2213A場效應(yīng)管是一款具有高堅固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，漏極電流可達(dá)200A，表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能；RDS（ON）僅為2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具...
KCX2920K場效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源...KCX2920K場效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，表現(xiàn)出色；RDS（ON）為9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在...
KNG3303C場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極...KNG3303C場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極低的導(dǎo)通電阻，RDS(ON)僅為2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)中表現(xiàn)出色，...
KIA7P03A功率場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力...KIA7P03A功率場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力為-7.5A，電壓為-30V，典型的導(dǎo)通電阻RDS（ON）為18mΩ，在柵源電壓為10V時；7P03場...
