電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400...電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，RDS（開啟）典型值=0.53Ω@VGS=10V，較低的導通電阻，可最大限度地...
調(diào)光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開）=14.5mΩ（典型...調(diào)光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開）=14.5mΩ（典型值）@VGS=10V；具有超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應下降，最大限度地減少導電損耗，...
KNX2912A場效應管采用先進的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，提供優(yōu)...KNX2912A場效應管采用先進的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，提供優(yōu)異的RDS（ON），在VGS=10V時的RDS（ON）僅為6.0mΩ（典型值），低柵極電荷，在儲能...
KNX3403C場效應管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，具有D...KNX3403C場效應管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封裝的RDS（ON）分別為4.3mΩ和4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，...
車載逆變器專用場效應管KNX2404N采用專有的新型溝槽技術(shù)，具有出色的參數(shù)特性，...車載逆變器專用場效應管KNX2404N采用專有的新型溝槽技術(shù)，具有出色的參數(shù)特性，漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，RDS（ON），典型=4mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極...
KND3203B場效應管具有100A、30V的額定參數(shù)，采用了CRM（CQ）先進的溝槽MOS技術(shù)...KND3203B場效應管具有100A、30V的額定參數(shù)，采用了CRM（CQ）先進的溝槽MOS技術(shù)，具有極低的導通電阻RDS（接通）和優(yōu)秀的QgxRDS（on）產(chǎn)品性能；RDS（開）為3.1m?...
