KCT1810A功率MOSFET采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流240A，極低...KCT1810A功率MOSFET采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流240A，極低的導通電阻RDS（開啟）典型值=1.6mΩ@VGS=10V，減小損耗；具有優秀的柵極電荷x RDS（...
逆變器的工作原理就是一個低壓直流轉換為高壓交流的過程；逆變器作為電力電子裝...逆變器的工作原理就是一個低壓直流轉換為高壓交流的過程；逆變器作為電力電子裝置中的關鍵組件，扮演著將直流電轉換為交流電的角色，這一過程對于諸如太陽能發電系...
電機控制器專用mos管KNP2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低的導通電阻R...電機控制器專用mos管KNP2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低的導通電阻RDS（ON）=2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；具有低Crss、快速切換、1...
KNP2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，其RDS（開）典型值為4.6mΩ@...KNP2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，其RDS（開）典型值為4.6mΩ@VGS=10V，低柵極電荷（典型值為148nC），具有高堅固性和100％的雪崩測試，穩定可靠；...
KNP9125A場效應管采用專有新型平面技術，最高承受電壓可達250V，漏極電流最大值...KNP9125A場效應管采用專有新型平面技術，最高承受電壓可達250V，漏極電流最大值為40A，RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V；具有低柵極電荷最小化開關損耗、快速恢...
KNH7150A場效應管采用專有新平面技術，漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，RDS(ON...KNH7150A場效應管采用專有新平面技術，漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低柵極電荷最小化開關損耗、快恢復體二極管，是一款性...
