KNX3308A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低rds開啟，RDS（ON）值為6.2...KNX3308A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低rds開啟，RDS（ON）值為6.2mΩ，以減少導(dǎo)電損耗，具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行，確保電路的安...
KIA2807N場(chǎng)效應(yīng)管采用超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì)，漏源擊穿電壓75V，漏極電...KIA2807N場(chǎng)效應(yīng)管采用超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì)，漏源擊穿電壓75V，漏極電流為150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低導(dǎo)通電阻、100%雪崩測(cè)試、可提供無(wú)鉛和綠...
KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS...KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS(ON)最大10.8mΩ（在VGS=10V時(shí)）；通過超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì)，確保運(yùn)行高效...
KNB2806A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值...KNB2806A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗，提高效率；具有100%雪崩測(cè)試、提供無(wú)鉛和綠色設(shè)備（符合RoH...
KIA2806A場(chǎng)效應(yīng)管替代150N06B場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用在逆變器、鋰電池保護(hù)板、電源管理中...KIA2806A場(chǎng)效應(yīng)管替代150N06B場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用在逆變器、鋰電池保護(hù)板、電源管理中，KIA2806A漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V...
KCX3406A是N溝道增強(qiáng)型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)。漏源擊穿電壓60V，...KCX3406A是N溝道增強(qiáng)型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)。漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，RDS（開啟）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低柵電荷、低反饋電容、開...
