常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管...常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管、雙柵場效應管、功率場效應管等。
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個柵極都可以對溝道進行控制，目的是為了控制的便利性與獨立性，尤其是有兩個控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結構（圖1.24）。就PN結的特性而言，與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道，雙擴散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
功率MOSFET主要用于計算機外設(軟、硬驅動器、打印機、繪圖機)、電源(AC／DC變...功率MOSFET主要用于計算機外設(軟、硬驅動器、打印機、繪圖機)、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領域。
MOSFET構造，從縱剖面來看，柵極（柵區）、源極（源區）、漏極（漏區）大致排列...MOSFET構造，從縱剖面來看，柵極（柵區）、源極（源區）、漏極（漏區）大致排列在同不斷線上，這樣的構造被稱為橫向溝道(Ltcral Channel)構造。同時，柵極，精確一...
