MOS晶體管的符號示于圖1.3。MOS晶體管是四端器件：源極(S)、柵極(G)、漏極(D)，...MOS晶體管的符號示于圖1.3。MOS晶體管是四端器件：源極(S)、柵極(G)、漏極(D)，以及基底端(B)。基底端在NMOS晶體管中通常銜接電路的負端電源電壓Vss，在PMOS晶體管...
工作頻率和驅動信號的占空比不是很大，并且VMOS的功率規格也不是很大時，普通并...工作頻率和驅動信號的占空比不是很大，并且VMOS的功率規格也不是很大時，普通并不需求為VMOS配置特地的驅動電路。通用的CMOS半導體(互補金屬氧化物品體管邏輯IC)、...
PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會忽略了兩者的差別。通常所說的“多少瓦...PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會忽略了兩者的差別。通常所說的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot額定值。 PD的含義是“Under Specified Heat Conditi...
用萬用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請留意，這...用萬用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請留意，這是在你能肯定VMOS完好的狀況下停止的判別，假如不曉得它的好壞，請先參考本節內容的...
KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產品的需求，更為重要的是進步性價比...KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產品的需求，更為重要的是進步性價比：封裝本錢、物流（重量輕了、體積小了）、熱阻、EMI（引線電感減小了）均有降落的趨...
槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構造與雙擴散有機分離起來，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴散...
