MOS管波形在各拓撲結構中的波形都會不一樣，對與PFC來說，MOS管波形見圖2，這是...MOS管波形在各拓撲結構中的波形都會不一樣，對與PFC來說，MOS管波形見圖2，這是因為工作在了CCM模式下的PFC MOS管波形，可以看到尖峰非常高，
箭頭指向G極的是N溝道 箭頭背向G極的是P溝道 MOS管的管腳有三個：源極S（sou...箭頭指向G極的是N溝道 箭頭背向G極的是P溝道 MOS管的管腳有三個：源極S（source）、柵極G（Gate）和漏極（Drain），但是實際工程應用中，經常無法區分PMOS管和N...
KIA3415采用了先進的溝道技術。提供卓越的R-DS（開）、低柵極電荷和低至1.8V的...KIA3415采用了先進的溝道技術。提供卓越的R-DS（開）、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該裝置適合作為負載開關或在PWM中應用。KIA3415是標準不含鉛產品。
導體對電流的阻礙作用就叫該導體的電阻。電阻（Resistor，通常用“R”表示）是...導體對電流的阻礙作用就叫該導體的電阻。電阻（Resistor，通常用“R”表示）是一個物理量，在物理學中表示導體對電流阻礙作用的大小。導體的電阻越大，表示導體對...
電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身...電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值...
LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的...
