某些IGBT是單裸片組件，要么結(jié)合單片二極管作，要么不結(jié)合二極管；然而，大多數(shù)...某些IGBT是單裸片組件，要么結(jié)合單片二極管作，要么不結(jié)合二極管；然而，大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個θ值，用于計算結(jié)點至外殼熱阻抗...
溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)...溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。
如圖1所示，使用了P溝道的內(nèi)置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續(xù)流作用，...如圖1所示，使用了P溝道的內(nèi)置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續(xù)流作用，電路是鋰電池充放電電路，當外部電源斷開時采用鋰電池進行內(nèi)部供電，即+5V電源斷開...
3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產(chǎn)品特性： 高速開關(guān) RDS(ON),typ.=6.5Ω@...3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產(chǎn)品特性： 高速開關(guān) RDS(ON),typ.=6.5Ω@VGS=10V 全隔離塑料包裝 應用程序： 切換應用程序
PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3...PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@V...
為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開關(guān)電源拓撲中的續(xù)流二極管同步MOSFET ...為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開關(guān)電源拓撲中的續(xù)流二極管同步MOSFET 取代形成如圖1 所示的同步開關(guān)電源拓撲，2 個MOSFET Q1 和Q2 形成半橋結(jié)構(gòu)。MOSFET ...
