KIA KCT010N04N 功率 TOLL8L 封裝 0.85mΩ 低內阻新能源專用
信息來源：本站 日期：2026-06-18
極低導通電阻，單顆 395A 免多并聯，降低 BOM 成本
KCT010N04N、KIA KCT010N04N、TOLL-8L MOS 管、40V 大電流 MOS 管、0.85mΩ 低內阻 MOS 管
| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 型號 | KCT010N04N |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封裝 | TOLL-8L |
| 包裝方式 | Tape&Reel 編帶卷裝 |
| 每卷數量 | 2000pcs |
| 絲印標記 | KCT010N04N |
| 環保認證 | RoHS、無鹵HF |
| 出廠測試 | 100% DVDS、100%雪崩Avalanche測試 |
| 參數符號 | 參數值 | 單位 |
|---|---|---|
| VDS 漏源耐壓 | 40 | V |
| RDS(on) 典型導通電阻 | 0.85 | mΩ |
| ID 連續漏極電流 | 395 | A |
| 1 | RDS(on) typ=0.85mΩ@VGS=10V |
| 2 | 低柵極電荷 Qg典型145nC |
| 3 | 低反向傳輸電容Crss典型108pF |
| 4 | 極低導通電阻 |
| 5 | 優異FoM品質因數 |
| 6 | 100% UIS、Rg柵阻全檢測試 |
| 1 | 電機驅動 Motor Driver |
| 2 | DC/DC開關電源轉換器 |
| 3 | BMS電池管理系統 |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源耐壓 | VDS | VGS=0V | 40 | V |
| 連續漏極電流ID | ID | TC=25℃ | 395 | A |
| 連續漏極電流ID | ID | TC=100℃ | 276 | A |
| 脈沖漏極電流 | ID(pulse) | 脈沖工況 | 1580 | A |
| 柵源電壓 | VGS | - | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | L=0.5mH,25℃ | 1369 | mJ |
| 最大耗散功率 | PD | - | 272 | W |
| 體二極管連續正向電流 | IS | - | 395 | A |
| 二極管脈沖電流 | IS(pulse) | - | 1580 | A |
| 結溫/存儲溫度 | TJ,Tstg | - | -55~+150 | ℃ |
| 結到外殼熱阻 | RthJC | - | 0.46 | ℃/W |
| 結到環境熱阻 | RthJA | - | 45 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 零柵漏電流 | IDSS | VDS=40V,TJ=25℃ | - | - | 1 | uA |
| 零柵漏電流 | IDSS | VDS=40V,TJ=150℃ | - | - | 100 | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V | - | - | ±100 | nA |
| 柵源開啟電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250uA | 2 | - | 4 | V |
| 導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=70A | - | 0.85 | 1 | mΩ |
| 柵極內阻 | RG | f=1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V,VDS=20V,f=1MHz | 8780 | pF |
| 輸出電容 | Coss | 3429 | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | 108 | pF | |
| 總柵電荷 | Qg | VGS=10V,VDD=20V,ID=70A | 145 | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | 35 | nC | |
| 柵漏米勒電荷 | Qgd | 30 | nC | |
| 米勒平臺電壓 | VPlateau | - | 4.2 | V |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 開通延遲時間 | td(on) | VGS=10V,VDD=20V,ID=70A,RG=1.6Ω | 32 | ns |
| 上升時間 | tr | 65 | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | 75 | ns | |
| 下降時間 | tf | 40 | ns |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 體二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V,IS=70A,TJ=25℃ | 1.2 | V |
| 反向恢復時間 | trr | IF=70A,dIF/dt=100A/us | 68 | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | 120 | nC |
| 符號 | Min | Nom | Max | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| A | 2.200 | 2.300 | 2.400 | - |
| A1 | 1.700 | 1.800 | 1.900 | - |
| B | 0.700 | 0.800 | 0.900 | - |
| B1 | 9.700 | 9.800 | 9.900 | - |
| B2 | 1.100 | 1.200 | 1.300 | - |
| C | 0.400 | 0.500 | 0.600 | - |
| D | 10.300 | 10.400 | 10.500 | - |
| D1 | 11.000 | 11.100 | 11.200 | - |
| D2 | 3.200 | 3.300 | 3.400 | - |
| D3 | 4.470 | 4.570 | 4.670 | - |
| E | 9.800 | 9.900 | 10.000 | - |
| E1 | 8.000 | 8.100 | 8.200 | - |
| E2 | 0.500 | 0.600 | 0.700 | - |
| e | 1.200 BSC | 引腳間距基準 | ||
| H | 11.600 | 11.700 | 11.800 | - |
| H1 | 6.950 BSC | - | ||
| H2 | 5.900 BSC | - | ||
| I | 0.050 | 0.100 | 0.150 | - |
| J | 0.350 REF. | 參考尺寸 | ||
| K | 3.100 REF. | 參考尺寸 | ||
| L | 1.550 | 1.650 | 1.750 | - |
| L1 | 0.600 | 0.700 | 0.800 | - |
| L2 | 0.500 | 0.600 | 0.700 | - |
| L3 | 0.400 | 0.500 | 0.600 | - |
| Q | 8.000 REF. | 焊盤參考 | ||
| R | 3.000 | 3.100 | 3.200 | - |
| a | 10° REF. | 倒角角度 | ||
| 圖A | 柵電荷Gate Charge測試電路+波形 |
| 圖B | 電阻性開關Resistive Switch測試電路+波形 |
| 圖C | 非鉗位電感UIS雪崩測試電路+波形 |
| 圖1 | 瞬態熱阻抗 ZthJC-脈沖寬度Tp |
| 圖2 | SOA安全工作區 ID-VDS |
| 圖3 | 輸出特性 ID-VDS（VGS=5V/10V/4.5V） |
| 圖4 | 轉移特性 ID-VGS 25℃ |
| 圖5 | 導通電阻RDS(on)-漏極電流ID |
| 圖6 | 電容Ciss/Coss/Crss隨VDS變化曲線 |
| 圖7 | 柵電荷曲線 VGS-Qg（ID=70A） |
| 圖8 | 體二極管正向伏安特性 IS-VSD |
| 圖9 | 擊穿電壓V(BR)DSS隨結溫TJ變化 |
| 圖10 | RDS(on)導通電阻隨結溫TJ變化 |
| 圖11 | 開啟電壓VGS(th)隨結溫TJ變化 |
| 序號 | 40V大電流TOLL-8L競品型號 |
|---|---|
| 1 | IRFP4004 |
| 2 | NTP4004NG |
| 3 | BSC010N04LSG |
| 4 | IPD010N04L4 |
| 5 | PMV40U010 |
| 6 | FDMS01004AS |
| 7 | TPC8004 |
| 8 | SI7488DP |
| 9 | DMTH40M010 |
| 10 | AOTL40010 |
| 11 | SIR4004DP |
| 12 | WSD010N04 |
| 文案板塊 | 宣傳內容 |
|---|---|
| 首頁主推短文案 |
KIA KCT010N04N 40V超低阻功率MOS管 TOLL-8L大電流封裝，Rds(on)僅0.85mΩ 395A持續電流，適配BMS/電機驅動/DC-DC |
| 產品詳情專業文案 | 廣東可易亞KIA KCT010N04N，TOLL-8L N溝道功率MOS器件，40V耐壓，典型導通電阻低至0.85mΩ，395A超大連續載流。采用低Qg、低Crss工藝，開關損耗大幅降低，FoM品質因數行業優異；出廠100%UIS雪崩、Rg全檢，可靠性拉滿。適配新能源電池管理、工業電機驅動、大功率DC-DC電源方案，支持高密度貼裝，RoHS無鹵環保。 |
| 技術優勢短句賣點 |
1. 0.85mΩ極低導通電阻，發熱更少 2. 低柵電荷145nC，高頻開關效率高 3. TOLL-8L散熱封裝，395A大電流承載 4. 100%雪崩UIS全檢，抗沖擊穩定性強 5. 低反向電容Crss=108pF，降低開關損耗 6. -55~150℃寬溫，工業新能源通用 |
| 應用場景宣傳語 |
新能源BMS電池管理系統 大功率工業電機驅動控制器 車載/儲能DC-DC升降壓轉換器 大功率快充、儲能逆變電源設備 |
| 參數項 | 符號 | 規格值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源額定耐壓 | VDS | 40 | V |
| 典型導通電阻 | Rds(on) | 0.85 | mΩ |
| 25℃連續漏電流 | ID | 395 | A |
| 脈沖峰值電流 | ID(pulse) | 1580 | A |
| 總柵極電荷 | Qg | 145 | nC |
| 反向傳輸電容 | Crss | 108 | pF |
| 封裝形式 | - | TOLL-8L | - |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1369 | mJ |
| 最大耗散功率 | Pd | 272 | W |
| 工作溫度范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 出廠檢測標準 | - | 100%UIS、100%雪崩測試 | - |
| 環保標準 | - | RoHS、無鹵HF | - |
| 包裝規格 | - | 編帶卷裝，2000pcs/卷 | - |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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