KGB10N65A 10N65A 貼片 IGBT TO263 可替代 FGA10N65TF
信息來源：本站 日期：2026-06-18
KIA KGB10N65A 10N65A 貼片 IGBT TO263 可替代 FGA10N65TF 開關管
低 VCE (sat) 導通損耗小，內置續流二極管省外圍器件
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| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 完整料號 | KGB10N65A |
| 簡稱型號 | 10N65A |
| 品牌廠商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 器件類型 | 硅功率IGBT內置續流二極管 |
| 封裝形式 | TO-263 |
| 核心規格 | 10A 650V |
| 版本日期 | Rev 1.0 2026年5月 |
| 引腳序號 | 引腳功能 |
|---|---|
| 1 | G 柵極 Gate |
| 2 | C 集電極 Collector |
| 3 | E 發射極 Emitter |
| 1 | Ic=1A VGE=15V VCE(sat)典型0.843V |
| 2 | Ic=5A VGE=15V VCE(sat)典型1.14V |
| 3 | Ic=10A VGE=15V VCE(sat)典型1.395V |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 接觸壓降 | CONT | Ib=1.00mA | 0 | 2.675 | 200 | mV |
| 柵正向漏電流 | IGES(+) | VGS=+30.0V | - | -1.408 | 100 | nA |
| 柵反向漏電流 | IGES(-) | VGS=-30.0V | - | -0.587 | -100 | nA |
| 300V集電極漏流 | ICES(300V) | VDS=300V,VGS=0V | - | 0.001 | 2 | μA |
| 650V集電極漏流 | ICES(650V) | VDS=650V,VGS=0V | - | 0.003 | 2 | μA |
| 擊穿電壓(250μA) | BVCES(250μA) | VGS=0V,Ic=250μA | 680 | 726.46 | 800 | V |
| 擊穿電壓(1mA) | BVCES(1mA) | VGS=0V,Ic=1mA | 680 | 728.14 | 800 | V |
| 擊穿電壓差值 | ΔBVCES | BV(1mA)-BV(250μA) | - | 1.68 | 30 | V |
| 二極管正向壓降5A | VFSD(5A) | Is=5.00A | 1.3 | 1.45 | 1.65 | V |
| 二極管正向壓降10A | VFSD(10A) | Is=10.0A | 1.3 | 1.748 | 1.85 | V |
| 開啟電壓(250μA) | VGETH(250μA) | VDS=VGS,Ic=250μA | 3.9 | 4.398 | 6 | V |
| 開啟電壓(1mA) | VGETH(1mA) | VDS=VGS,Ic=1mA | 4.4 | 4.94 | 6 | V |
| 飽和壓降Ic=1A | VCE(SAT)(1A) | VGS=15V,Ic=1A | 0.2 | 0.843 | 1.8 | V |
| 飽和壓降Ic=5A | VCE(SAT)(5A) | VGS=15V,Ic=5A | 0.2 | 1.14 | 1.8 | V |
| 飽和壓降Ic=10A | VCE(SAT)(10A) | VGS=15V,Ic=10A | 0.2 | 1.395 | 1.8 | V |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 柵極內阻 | RG2 | DC Bias=0V AC=0.2V | 2 | 7.494 | 10 | Ω |
| 輸入電容 | CISS2 | DC Bias=25V AC=0.2V | 350 | 895 | 10000 | pF |
| 輸出電容 | COSS2 | DC Bias=25V AC=0.2V | 20 | 20 | 10000 | pF |
| 反向傳輸電容 | CRSS2 | DC Bias=25V AC=0.2V | - | 1 | 10000 | pF |
| 參數名稱 | 符號 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 開通延遲時間 | td(on) | 17.1 | ns |
| 上升時間 | tr | 142 | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | 123.4 | ns |
| 下降時間 | tf | 18.2 | ns |
| 開通損耗 | Eon | 0.75 | mJ |
| 關斷損耗 | Eoff | 0.175 | mJ |
| 關斷電壓尖峰 | VcePeak | 600 | V |
| 開關電壓變化率 | dv/dt | 0.4~0.6 | V/ns |
| 反向恢復峰值電流 | Irr | 15 | A |
| 反向恢復電荷 | Qrr | 2.5~3.3 | μC |
| 圖號 | 曲線名稱說明 |
|---|---|
| Figure1 | TO263正向偏置安全工作區SOA |
| Figure2 | 功耗與外殼溫度關系曲線 |
| Figure3 | 集電極電流隨外殼溫度變化 |
| Figure4 | Tj=25℃輸出特性Ic-Vce |
| Figure5 | Tj=175℃輸出特性Ic-Vce |
| Figure6 | 轉移特性Ic-VGE(25℃/175℃對比) |
| Figure7 | 柵極閾值電壓隨結溫變化 |
| Figure8 | 飽和壓降VCE(sat)隨結溫變化 |
| Figure9 | 續流二極管正向電流-正向電壓 |
| Figure10 | 開關時間與柵極電阻關系 |
| Figure11 | 開關損耗Ets/Eon/Eoff與柵阻曲線 |
| Figure12 | 開關時間隨結溫變化曲線 |
| Figure13 | 開關損耗隨結溫變化曲線 |
| Figure14 | 開關時間與集電極電流Ic關系 |
| Figure15 | 開關損耗隨集電極電流Ic變化 |
| Figure16 | 開關時間隨VCE集射電壓變化 |
| Figure17 | 開關損耗隨VCE集射電壓變化 |
| Figure18 | 不同VCE下柵電荷VGE-Qg曲線 |
| Figure19 | 輸入/輸出/反向傳輸電容C-VCE |
| Figure20 | IGBT瞬態熱阻抗-脈沖寬度 RthJC=1.1℃/W |
| Figure22 | 二極管瞬態熱阻抗-脈沖寬度 RthJC=2.1℃/W |
| 1 | 正向偏置安全工作區測試電路 |
| 2 | 雙脈沖開關損耗、開關時間測試電路 |
| 3 | 柵電荷、極間電容測試電路 |
| 4 | 瞬態熱阻抗脈沖熱阻測試電路 |
| 5 | 體二極管正向伏安特性測試電路 |
| 序號 | 650V 10A TO-263貼片IGBT競品型號 |
|---|---|
| 1 | FGA10N65TF |
| 2 | SGW10N65 |
| 3 | IGW10N65T |
| 4 | FGH10N60SFD |
| 5 | STGW10NC60HD |
| 6 | IRG10N60B |
| 7 | GT10J603 |
| 8 | MBQ10N65A |
| 9 | IPW10R60P |
| 10 | HGTG10N60A4D |
| 11 | FGW10N65 |
| 12 | SL10N65 |
| 文案板塊 | 宣傳內容 |
|---|---|
| 首頁短引流標題 |
KGB10N65A TO-263 650V10A貼片IGBT 低飽和壓降 內置續流二極管開關管 |
| 產品詳情專業介紹 | KIA原廠KGB10N65A貼片IGBT，TO-263貼片封裝，耐壓650V，額定集電極電流10A，搭配集成快恢復續流二極管。飽和壓降最低0.843V，開關損耗低，高溫工況穩定性強，柵極參數均衡，適配小功率開關電源、適配器、變頻控制方案，國產替代進口IGBT優選，批量現貨可試樣。 |
| 核心賣點短句 |
1. 低VCE(sat)導通損耗小，整機溫升更低 2. TO-263貼片封裝，SMT自動化貼裝高效 3. 內置快恢復二極管，省去外圍續流器件 4. 650V高耐壓，抗電網浪涌沖擊能力強 5. 25~175℃寬溫穩定，工業家電通用 6. 開關速度均衡，EMI干擾易整改 |
| 適配應用領域 |
小家電開關電源、LED驅動電源 筆記本/充電器適配器、變頻風機驅動 小型逆變焊機、車載低壓逆變模塊 工控小功率電源、光伏微型逆變器 |
| 參數項 | 符號 | 規格值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 型號全稱 | - | KGB10N65A | - |
| 封裝 | - | TO-263貼片 | - |
| 集射極耐壓 | BVces | 680~800(典型726) | V |
| 額定集電極電流 | Ic | 10 | A |
| Ic=1A飽和壓降 | VCE(sat) | 0.843(典型) | V |
| 內置二極管正向壓降 | VFSD | 1.748(10A典型) | V |
| 開通損耗典型值 | Eon | 0.75 | mJ |
| 關斷損耗典型值 | Eoff | 0.175 | mJ |
| 工作結溫范圍 | Tj | 25~175 | ℃ |
| 器件結構 | - | IGBT集成快恢復續流二極管 | - |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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